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晶圆下片台,抛光片下片台,QDR清洗台,QDR清洗机

布局设置:1、左侧花洒,右侧水枪。2、QDR用4寸使用时配置一个小支撑。3、CASS是在满水溢流页面2cm下。4、水溢流有阀门可控,并加装流量计,调节时可直观目视流量。二、主要结构特征和工艺说明2.1 结构特征:2.1.1无接触式晶圆下片机主要由主轴旋转部分,片盒夹具,工作腔,机架,门盖部分,QDR槽,洁净管路部分, 电气控制等组成。2.1.2外壳材质: 进口 PP 板外壳。2.1.3旋转机构为端

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布局设置:

1、左侧花洒,右侧水枪。

2、QDR4寸使用时配置一个小支撑。

3、CASS是在满水溢流页面2cm下。

4、水溢流有阀门可控,并加装流量计,调节时可直观目视流量。

二、主要结构特征和工艺说明

2.1 结构特征:

2.1.1无接触式晶圆下片机主要由主轴旋转部分,片盒夹具,工作腔,机架,门盖部分,QDR槽,洁净管路部分, 电气控制等组成。

2.1.2外壳材质: 进口 PP 板外壳。

2.1.3旋转机构为端面支撑, 缩短传动轴长度, 并经精密的动平衡处理, 减少设备共振等

2.1.4采用专用步进电机及控制器, 保证设备的稳定、 可靠及满足系统对洁净度处理的要求。

2.1.5管路系统: PFA 洁净管路。

2.2 工作台及载体:

2.2.1工作台数量∶ 1 个 材质为 PP 板 ,支持陶瓷盘外径 485mm(需更换夹具) 。

2.2.2规格∶ 加工尺寸 2-6 英寸。

2.3 纯水控制单元:

2.3.1采用旋流式冲洗喷嘴。

2.3.2管路采用 PFA 洁净管路。

2.4 电控单元及软件系统:

2.4.1甩干工艺过程由 PLC 控制器+触摸屏控制, 可选择设置多种用户工艺菜单, 并对每 个。

2.4.2菜单的内容如: 时间、 速度参数进行设置。

2.4.3系统软件还具有密码权限设置, 故障显示及报警功能。 设备出现故障时, 系统会停止。

2.4.4工作并显示错误信息、 报警以提示更改和维修。

2.5 工艺说明

2.5.1通过手动方式实现放件和取件操作,具体步骤如下:

2.5.2‌放置晶圆‌:操作员将待清洗的晶圆手动放置在陶瓷盘上。

2.5.3‌启动清洗程序‌:设置清洗参数,启动清洗程序。

2.5.4‌清洗过程‌:设备自动完成晶圆的冲洗和干燥。

2.5.5‌取出晶圆‌:清洗完成后,操作员手动取出已清洗的晶圆。

 

 

三、主要技术参数

项目

主要性能指标和参数

适配晶圆规格

2-8英寸

陶瓷盘最大直径

485mm(不同尺寸盘, 需更换不同夹具)

陶瓷盘工作台数量(个)

1

下片旋转工位

1(可设置片数,对应旋转角度)

扫描旋转喷淋喷气

1(可自由设定旋转角度)

QDR

1

溢流工位

1

离子风棒

2

FFU

1

供水

0.25-0.3Mpa, 管接口 1/2(内螺纹)

供气

0.25-0.3Mpa, 管接口Φ10mm

QDR槽喷淋

支持(可自设定时间)

QDR槽溢流

支持(可自设定时间)

QDR槽快排

支持(可自设定时间)

QDR槽鼓泡

支持(可自设定时间)

氮气压力  

0.25-0.3Mpa,氮气管接口3/8

排水管

63mm 圆管 PP

控制系统

可编程控制器

程序自定义设定

支持

显示

7寸触摸屏

电源

AC220V

整机功率

2KW

外型尺寸(深**高)mm

1200mm*800mm*2000mm



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