多晶炉，多晶生长炉，砷化镓多晶合成炉，化合物晶体生长炉，VB长晶炉

一、设备概况

1.1设备用途：晶体材料生长设备。

1.2 VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点：

1.2.1用于GaAs等化合物晶体的生长；       

1.2.2按结构形式:垂直生长,水平生长；

1.2.3按生长方式:梯度生长及移动生长 ；       

1.3晶体生长尺寸：2-6寸

1.4设备分类:HB 、HGF 、VGF 、VB    

二、主要技术参数

提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。