一、设备概况
1.1产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓，碲锌镉等化合物晶体的生长。
1.2产品特点：
1.2.1工业计算机控制系统（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）；
1.2.2关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性；
1.2.3控温精度高，温区控温稳定性好；
1.2.4具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能；
1.2.5晶体生长均匀性好、重复性高。
二、主要技术参数
工作温度 | 600～1280℃ |
适应晶体尺寸 | 2～6英寸 |
装料量 | 15Kg/炉 |
加热控制 | 7段控制 |
温区长度 | 800mm±0.5℃（1000～1280℃） （可定制） |
升温速率 | 15℃/min |
升降行程 | 900mm |
最小升降速率（VB） | 0.1mm/h |
配套设备 | 合成炉、铸锭炉、脱氧封管炉等 |