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晶圆甩干机,6寸晶圆甩干机,硅片甩干机,碳化硅晶圆甩干机

晶圆甩干机(Spin Rinsing Dryer, SRD)是半导体制造过程中用于清洗后晶圆高效脱水的关键设备。其主要功能是通过高速旋转的甩干盘产生的离心力,辅以精密控制,实现对晶圆表面的精确清洗和干燥。

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一、设备概况

1.1应用领域:晶圆甩干机是高洁净度冲洗甩干设备具有高洁净冲洗,高速甩干,快速烘干,效率高的特点,不同晶圆尺寸,可通过快速更换转子来实现。是湿法清洗工艺的主要设备,设备本身有单腔室和双腔室2种结构,体型小运行平稳。其主要用于2-8英寸半导体晶圆、掩膜板、各种基片等材料的高洁净度冲洗及干燥工艺。

1.2名称:双腔室甩干机

1.3型号:CSM870S

1.4尺寸:710mm*460mm*1850mm  

1.5晶圆规格:2-6 英寸

 

二、主要结构特征

2.1 结构特征

双腔室甩干机主要由主轴传动部分,片盒夹具,工作腔,机架,门盖部分,洁净管路部分,电气控制等组成。

2.1.1材质:不锈钢机架+10mm PP板外壳

2.1.2设备机架:SUS304不锈钢材料,能够满足洁净室工作环境。

2.1.3腔体和载体采用耐腐蚀SUS316L不锈钢并电化学抛光。片架载体可方便更换。

2.1.4电机及转子经精密的动平衡处理,减少设备共振。

2.1.5采用专用定制无刷电机及控制器,保证设备的稳定、可靠及满足系统对洁净度处理的要求。

2.1.6管路系统:PFA洁净管路

2.2 工艺腔体及载体

2.2.1工艺腔数量2 材质为不锈钢316L(腔体电解抛光处理)

2.2.2规格∶ 加工尺寸 2-6 英寸全高片盒,可兼容。

2.2.3工作转速 2002200 RPM/MIN

2.2.4加热功能∶ 氮气加热  腔体加热

2.2.5轴封:电机转轴采用氮气轴封。

2.3 纯水控制单元:

2.3.1采用扇形冲洗喷嘴。

2.3.2排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。

2.3.3冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。

2.3.4待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。

2.4 氮气控制单元:

2.4.1管件阀门: SMC电磁阀、 PFA高纯管件、 PTFE气控阀门。

2.4.2氮气加热功能: 316不锈钢加热器在线加热,温度开关控制, 加热温度控制在 80℃。

2.4.3配置高洁净型减压阀,内置氮气过滤器,过滤精度 0.003μm

2.5 防静电控制单元:

2.5.1由高压发生器、氮气电离室及氮气控制通道组成。

2.5.2当氮气通过高压发生器的控制区时,氮气电离充斥整个工艺腔体,形成中和平衡消除静电。

2.6 颗粒度:

颗粒增加值:需与客户确认

2.7 电控单元及软件系统:

2.7.1 甩干工艺过程由 PLC 控制器+触摸屏控制,可选择设置多种用户工艺菜单,并对每 个菜单的内容如:时间、速度参数进行设置。

2.7.2系统软件还具有密码权限设置,故障显示及报警功能。设备出现故障时,系统会停止工作并显示错误信息、报警以提示更改和维修。

2.8 工艺流程:

去离子水旋转冲洗+离心甩干氮气烘干

建议工艺参数:

阶段

冲水

吹净

烘干1

烘干2

时间

60s

30s

120S

200S

速度

800r/min

1000r/min

1800r/min

600r/min

介质

去离子水

氮气

氮气

氮气

氮气温度

0°

80°

80°

 

三、主要技术参数

项目

主要性能指标和参数

加工硅片尺寸

2-6 英寸圆片

单次甩干数量

50

工位数量(个)

2

碎片率

0.01%

颗粒增加值

根据客户环境及产品要求确定

旋转速度 RPM/MIN

200-2000

甩干时间

5-8min

腔室及氮气加热方式

电加热器

氮气压力

0.25-0.3Mpa,氮气管接口3/8”

氮气耗量 L/min

80

纯水压力

0.25-0.3Mpa 管接口3/8”

排水管

40mm圆管 PVC

控制系统

三菱PLC可编程控制器

显示

4.3寸触摸屏

电源

AC220V

整机功率

5 KW

外型尺寸(深**高)mm

710mm*460mm*1850mm


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